MOS ICs & Technology Pro

MOS ICs & Technology App تغطي الدورة التدريبية والمحاضرات والملاحظات والكتب للطلاب.

ملاحظات حول MOS ICs & Technology (الدوائر المتكاملة) لسهولة التعلم والتعلم السريع. هذا التطبيق هو في الواقع كتيب ، والذي يغطي جميع موضوعات الموضوع. يمكنك اعتبار هذا التطبيق بمثابة ملاحظات يوجهها الأساتذة في الفصل الدراسي.

يمكنك بسهولة النجاح والامتحان في الامتحانات والمقابلات الخاصة بك إذا كان لديك هذا التطبيق في هاتفك المحمول ، وإعطاء لمحة عامة لبضعة أيام.

وهو يغطي 114 موضوعًا لـ MOS ICs & Technology بالتفصيل. يتم تقسيم هذه الموضوعات 114 في 8 وحدات

بعض الموضوعات التي تمت تغطيتها في هذا التطبيق هي:

1. قانون مور.

2. مقارنة بين التقنيات المتاحة

3. الترانزستورات MOS الأساسية

4. تعزيز وضع الترانزستور العمل:

5. nmos تلفيق:

6. تصنيع CMOS- P-WELL PROCESS

7. تصنيع CMOS-N-WELL عملية:

8. عملية تصنيع CMOS-Twin-tub

9. تقنية Bi-CMOS: - (ثنائي القطب CMOS):

10. إنتاج أقنعة شعاع الإلكترونية

11. مقدمة إلى الترانزستور MOS

12. العلاقة بين Vgs و Ids ، للحصول على Vds ثابت

13. معادلات MOS (معادلات DC الأساسية):

14. من الدرجة الثانية الآثار

15. خصائص CMOS INVETER

16. خصائص DC العاكس

17. الاشتقاق الرسمى لخصائص التيار العاكس DC

18. هامش الضوضاء

19. محولات MOS تحميل ثابت

20. بوابات الإرسال

21. Tristate العاكس

22. الرسوم البيانية عصا ترميزات لعملية NMOS

23. ترميز لعملية CMOS

24. ترميز ل BJT و MOSFETs

25. NMOS و CMOS نمط التصميم

26. قواعد التصميم - MOS ICs & Technology

27. فيا

28. CMAM lambda قواعد التصميم القائمة

29. عملية أوروم 2um CMOS

30. تقدير المقاومة.

31. مقاومة ورقة الترانزستور mos

32. تقدير السعة

33. تأخير

34. تأخير العاكس

35. التقدير الرسمي للتأخير

36. قيادة حمولة كبيرة بالسعة

37. القيمة المثلى ل f

38. عازلة فائقة

39. السائقين Bicmos

40 - تأخير الانتشار

41. مصادر أخرى من السعة

42. اختيار الطبقات

43. توسيع نطاق أجهزة mos

44. التصميم المادي الأساسي لمحة عامة

45. التصميم المادي الأساسي لمحة عامة

46. ​​تخطيطي وتخطيط البوابات الأساسية-بوابة العاكس

47. تخطيطي وتخطيط البوابات الأساسية- NAND وبوابة NOR

48. بوابة النقل

49. تصميم الخلية القياسية CMOS

50. تخطيط الأمثل للأداء

51. المبادئ التوجيهية العامة للتخطيط

52. BICMOS Logic

53. Pseudo nmos logic

54. تنويعات أخرى للمنطق nmos-pseudo-multi drain و منطق جانجيد

55. تنويعات أخرى لمنطق cmoso nmos-Dynamic cmos

56. تنويعات أخرى من nmos-nos-s-CLOSKED CMOS LOGIC (C2MOS)

57. منطق الدومينو CMOS

58. منطق التبديل المتقلب الجهد

59. تمرير منطق الترانزستور

60. هياكل الدوائر المنطقية للتكنولوجيا CMOS

61. تحجيم الدوائر MOS

62. تقانة التكنولوجيا

63. خارطة طريق التكنولوجيا الدولية لأشباه الموصلات (ITRS)

64. نماذج التحجيم وعوامل القياس لمعلمات الجهاز

65. آثار التحجيم

66. مشاكل الترابط

67. قابلة للوصول نصف القطر

68. القوة الديناميكية والمستقرة

69. الإنتاجية والقيود المادية

70. قيود القياس

71. منشطات الركيزة

72. عرض نضوب

73. حدود التصغير

74. حدود الترابط ومقاومة الاتصال

75. الحدود بسبب التيارات العفوية

76. الحدود بسبب التيارات العفوية

77. النظام

78. تدفق تصميم VLSI

79. 3 نهج التصميم المنظم

80. الانتظام

81. MOSFET كمحول

82. متوازي وسلسلة من مفاتيح التبديل

83. CMOS INVERTER

84. تصميم بوابة NAND

85. تصميم بوابة NOR

86. خصائص CMOS

87. بوابات معقدة

88. بوابات معقدة AOI

روابط مهمة

ردود الفعل: شارك ملاحظاتك في [email protected]

روابط اجتماعية

Facebook: https://www.facebook.com/EngineeringEasy/

Twitter: https://twitter.com/easyengineerin

الموقع: http: //www.engineeringapps.net/

كل أنت سعيد جدا التعلم